CdTeS päikesepatarei saavutab ribavahe gradiendi kaudu 20-protsendilise konversioonitõhususe
Feb 02, 2023
Esimest korda on USA teadlased rakendanud CdTe fotogalvaanilistele elementidele ribalaiuse gradiente. Tulemuseks on nende efektiivsuse ja avatud ahela pinge tõus ning madalam mittekiirguse ühend.
Toledo ülikooli ja USA energeetikaministeeriumi Oak Ridge'i riikliku labori teadlased on esimest korda kasutanud ribalaiuse gradiente, et parandada kaubanduslike tina(IV)oksiidil põhinevate kaadmiumseleentelluriidi (CdSeTe) päikesepatareide 2) jõudlust puhverkihtidega.
Teadlased kirjeldavad oma avastamist polükristalliliste Cd (Se, Te) õhukese kilega päikesepatareide 20-protsendilise efektiivsuse kohta, mille koostise gradient on eesmise ristmiku lähedal, mis avaldati ajakirjas Nature Communications. Nad ütlevad, et kaubanduslikud SnO2 puhvrid on väga stabiilsed ja neid saab soovitud elektroonilise juhtivusega hõlpsasti reprodutseerida.
"Tänu nendele eelistele on SnO2 CdTe valmistamisel edukalt kasutatud aastakümneid, " ütlevad nad ja märgivad, et see puhvertehnoloogia on hiljuti asendatud tsink-magneesiumoksiidiga (ZMO). Peamine takistus on ZMO puhvri madal elektronjuhtivus. kiht, mida on raske parandada isegi mitteolemusliku dopinguga.
USA töörühm ütles, et ribalaiuse gradienti on edukalt rakendatud teist tüüpi õhukese kilega päikesepatareide puhul eesmärgiga suurendada nende avatud vooluahela pinget, lisades, et seda tuleks kasutada CdSeTe seadmetes, lisades õhukese kihi kaadmiumsulfiidi (CdS). ) eesmisse ristmiku piirkonda, vältides samas kahjulike liideste teket.
"Selle edu võti on oksiidi CdS ja CdSe kihtide lisamine enne CdTe neeldumiskihi sadestamist, " ütlesid nad.
Teadlased konstrueerisid selle raku 2 puhverkihi, ülalmainitud oksüdeeritud CdS ja CdSe kihid, CdTe kihi ja vask (I) tiotsüanaadi (I) ( cus cn) õõnsuse ekstraktsioonikihi, kasutades läbipaistvat juhtiva oksiidi (TCO) kihti (SnO)
